Дом > Продукты > РЧ-трансформатор > SMD LAN-трансформатор серии JY-SPD4532 1G-10G Base-T PoE 4532 SMD Высокопроизводительный, соответствует RoHS

SMD LAN-трансформатор серии JY-SPD4532 1G-10G Base-T PoE 4532 SMD Высокопроизводительный, соответствует RoHS

Категория:
РЧ-трансформатор
Технические характеристики
Product Type
SMD LAN / Ethernet Transformer
Size
4532 (4.6x3.4mm)
Standard
IEEE 802.3ab, 1G-10G Base-T
PoE
0-60W
Hi-pot
1500 Vrms
Operating Temperature
-40℃ to +85℃/+125℃
Packaging
Tape & Reel, 2000 pcs/reel
Mounting Type
Surface Mount
High Light
Введение

Трансформатор LAN / Ethernet серии JY-SPD4532 SMD

Система обозначения деталей

ПозицияКодОписание
1JYSPDКод продукта
24532Размер продукта 4.6x3.4 мм
3BТип: B 6PIN
4351Код импеданса / индуктивности
51KСкорость передачи данных: 1K 1000M / 2G 2.5G
600Код варианта
7HFОкружающая среда: LF / HF / FP

Конфигурация и размеры

A 4.60 B 3.40 C 3.20 (единица измерения: мм)

Общие характеристики

  • Диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C/+125°C
  • Температура хранения: от -10°C до +40°C, относительная влажность не более 65%
  • Уровень чувствительности к влаге: MSL 2
  • Номинальный ток постоянного тока: повышение температуры (ΔT) примерно 40°C при Irms
  • Соответствует RoHS, доступно без свинца и галогенов
  • Соответствует IEEE 802.3ab, поддерживает передачу от 1G до 10G Base-T
  • Токовая нагрузка 0-720 мА, поддерживает приложения PoE 0-60 Вт
  • Изоляция Hi-pot 1500 Vrms

Электрические характеристики

СтандартРейтинг PoEНомер деталиКоэффициент трансформацииOCLCwwМакс. DCRВносимые потериОбратные потериHI-POT (Vrms)
1G Base-TБез PoEJYSPD4532B351-1K00-HF1CT:1CT ±5%350 мкГн мин. при 8 мА постоянного тока45 пФ макс.4.5 Ом макс.-1.0 дБ макс. при 1-100 МГц; -1.5 дБ макс. при 100-125 МГц-18 дБ мин. при 1-40 МГц; -12+10*Log(F/80) дБ мин. при 40-100 МГц1500
1G Base-T15 Вт PoEJYSPD4532B201-1K15-HF1CT:1CT ±5%200 мкГн мин. при 8 мА постоянного тока35 пФ макс.2.5 Ом макс.-1.0 дБ макс. при 1-100 МГц; -1.5 дБ макс. при 100-125 МГц-18 дБ мин. при 1-40 МГц; -12+10*Log(F/80) дБ мин. при 40-100 МГц1500
1G Base-T30 Вт PoEJYSPD4532B171-1K30-HF1CT:1CT ±5%170 мкГн мин. при 10.8 мА постоянного тока35 пФ макс.1.2 Ом макс.-1.0 дБ макс. при 1-100 МГц; -1.5 дБ макс. при 100-125 МГц-18 дБ мин. при 1-40 МГц; -12+10*Log(F/80) дБ мин. при 40-100 МГц1500
1G Base-T60 Вт PoEJYSPD4532B151-1K60-HF1CT:1CT ±5%170 мкГн мин. при 10.8 мА постоянного тока35 пФ макс.1.2 Ом макс.-1.0 дБ макс. при 1-100 МГц; -1.5 дБ макс. при 100-125 МГц-18 дБ мин. при 1-40 МГц; -12+10*Log(F/80) дБ мин. при 40-100 МГц1500
2.5G Base-TБез PoEJYSPD4532B201-2G00-HF1CT:1CT ±5%200 мкГн мин. при 8 мА постоянного тока35 пФ макс.2.5 Ом макс.-1.0 дБ макс. при 1-100 МГц; -1.5 дБ макс. при 100-125 МГц-20 дБ мин. при 1-40 МГц; -20+15*Log(F/40) дБ мин. при 40-150 МГц1500
2.5G Base-T15 Вт PoEJYSPD4532B201-2G15-HF1CT:1CT ±5%150 мкГн мин. при 8 мА постоянного тока35 пФ макс.2.5 Ом макс.-1.0 дБ макс. при 1-100 МГц; -1.5 дБ макс. при 100-125 МГц-20 дБ мин. при 1-40 МГц; -20+15*Log(F/40) дБ мин. при 40-150 МГц1500
2.5G Base-T30 Вт PoEJYSPD4532B201-2G30-HF1CT:1CT ±5%150 мкГн мин. при 10.8 мА постоянного тока35 пФ макс.1.2 Ом макс.-1.0 дБ макс. при 1-100 МГц; -1.5 дБ макс. при 100-125 МГц-20 дБ мин. при 1-40 МГц; -20+15*Log(F/40) дБ мин. при 40-150 МГц1500
2.5G Base-T60 Вт PoEJYSPD4532B201-2G60-HF1CT:1CT ±5%150 мкГн мин. при 10.8 мА постоянного тока35 пФ макс.1.2 Ом макс.-1.0 дБ макс. при 1-100 МГц; -1.5 дБ макс. при 100-125 МГц-20 дБ мин. при 1-40 МГц; -20+15*Log(F/40) дБ мин. при 40-150 МГц1500
5G Base-TБез PoEJYSPD4532B181-5G00-HF1CT:1CT ±5%180 мкГн мин. при 8 мА постоянного тока35 пФ макс.2.5 Ом макс.-1.0 дБ макс. при 1-150 МГц; -1.5 дБ макс. при 150-250 МГц-18 дБ мин. при 1-40 МГц; -18+10*Log(F/40) дБ мин. при 40-250 МГц1500
5G Base-T15 Вт PoEJYSPD4532B181-5G15-HF1CT:1CT ±5%180 мкГн мин. при 8 мА постоянного тока35 пФ макс.2.5 Ом макс.-1.0 дБ макс. при 1-150 МГц; -1.5 дБ макс. при 150-250 МГц-18 дБ мин. при 1-40 МГц; -18+10*Log(F/40) дБ мин. при 40-250 МГц1500
5G Base-T30 Вт PoEJYSPD4532B151-5G30-HF1CT:1CT ±5%150 мкГн мин. при 10.8 мА постоянного тока35 пФ макс.1.2 Ом макс.-1.0 дБ макс. при 1-150 МГц; -1.5 дБ макс. при 150-250 МГц-18 дБ мин. при 1-40 МГц; -18+10*Log(F/40) дБ мин. при 40-250 МГц1500
5G Base-T60 Вт PoEJYSPD4532B121-5G60-HF1CT:1CT ±5%120 мкГн мин. при 10.8 мА постоянного тока35 пФ макс.1.2 Ом макс.-1.0 дБ макс. при 1-150 МГц; -1.5 дБ макс. при 150-250 МГц-18 дБ мин. при 1-40 МГц; -18+10*Log(F/40) дБ мин. при 40-250 МГц1500
10G Base-TБез PoEJYSPD4532B121-10G00-HF1CT:1CT ±5%120 мкГн мин. при 8 мА постоянного тока35 пФ макс.2.0 Ом макс.-0.5 дБ макс. при 1-65 МГц; -1.0 дБ при 65-125 МГц; -2.0 дБ при 125-400 МГц; -4.5 дБ при 400-500 МГц-20.5 дБ мин. при 1-100 МГц; -20.5+20.75*Log(F/100) дБ при 100-200 МГц; -12 дБ при 200-300 МГц; -9.5 дБ при 300-400 МГц; -7.5 дБ при 400-500 МГц1500
10G Base-T15 Вт PoEJYSPD4532B121-10G15-HF1CT:1CT ±5%120 мкГн мин. при 10.8 мА постоянного тока35 пФ макс.2.0 Ом макс.-0.5 дБ макс. при 1-65 МГц; -1.0 дБ при 65-125 МГц; -2.0 дБ при 125-400 МГц; -4.5 дБ при 400-500 МГц-20.5 дБ мин. при 1-100 МГц; -20.5+20.75*Log(F/100) дБ при 100-200 МГц; -12 дБ при 200-300 МГц; -9.5 дБ при 300-400 МГц; -7.5 дБ при 400-500 МГц1500

Примечание: OCL измеряется при 100 кГц/0.1 В с током смещения 1 мА. Hi-pot 1500 Vrms.

Условия пайки

  • Пайка оплавлением (без свинца): предварительный нагрев до 150°C; пиковая температура 260°C (макс.); количество циклов оплавления ≤2; толщина паяльной пасты 0.08 мм оптимально / 0.1 мм макс.
  • Ручная пайка: паяльник 20 Вт с наконечником диаметром 1.0 мм; время пайки в течение 3 секунд

Упаковка

Упаковка в ленту и катушку. Сила отрыва: 20 г-80 г, скорость отрыва 300 мм/мин ±10%. Лента и катушка, 2000 шт./катушка.

Отправьте RFQ
Запас:
минимальный заказ: