仕様
Product Type
SMD LAN / Ethernet Transformer
Size
4532 (4.6x3.4mm)
Standard
IEEE 802.3ab, 1G-10G Base-T
PoE
0-60W
Hi-pot
1500 Vrms
Operating Temperature
-40℃ to +85℃/+125℃
Packaging
Tape & Reel, 2000 pcs/reel
Mounting Type
Surface Mount
High Light
導入
JY-SPD4532 シリーズ SMD LAN / イーサネット トランスフォーマー
部品番号付けシステム
| 位置 | コード | 記述 |
|---|---|---|
| 1 | JYSPD | 商品コード |
| 2 | 4532 | 製品サイズ 4.6x3.4mm |
| 3 | B について | タイプ:B 6PIN |
| 4 | 351 | 阻力/インダクタンスコード |
| 5 | 1K | バウッドレート: 1K 1000M / 2G 2.5G |
| 6 | 00 | 変数コード |
| 7 | HF | 環境: LF / HF / FP |
構成 と 寸法
A 4.60 B 3.40 C 3.20 (単位:ミリ)
一般仕様
- 動作温度範囲: -40°Cから+85°C/+125°C
- 保存温度: -10°Cから+40°C,R.H. 最大 65%
- 湿度感度レベル:MSL 2
- 定数直流:温度上昇 (ΔT) 約40°C Irms
- RoHS に準拠し,鉛やハロゲンを含まない
- IEEE 802.3ab に準拠し,1G から 10G のベース-T 送信をサポートする
- 電流能力 0-720mA 0-60W PoE アプリケーションをサポート
- ハイポット隔離 1500 Vrms
電気特性
| 税率基準 | PoE評価 | 部分番号 | ターン比 | オークル・CL | Cww | DCR マックス | 挿入損失 | 返済損失 | HI-POT (Vrms) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1GベースT | 非POE | JYSPD4532B351-1K00-HF | 1CT:1CT ±5% | 350uH Min @8mA DCバイアス | 45pF 最大 | 4.5Ω 最大 | -1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz | -18dB Min @1-40MHz; -12+10*Log ((F/80) dB Min @40-100MHz | 1500 |
| 1GベースT | 15W PoE | JYSPD4532B201-1K15-HF | 1CT:1CT ±5% | 200uH Min @8mA DCバイアス | 35pF 最大 | 2.5Ω 最大 | -1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz | -18dB Min @1-40MHz; -12+10*Log ((F/80) dB Min @40-100MHz | 1500 |
| 1GベースT | 30W PoE | JYSPD4532B171-1K30-HF | 1CT:1CT ±5% | 170uH Min @10.8mA DCバイアス | 35pF 最大 | 1.2Ω 最大 | -1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz | -18dB Min @1-40MHz; -12+10*Log ((F/80) dB Min @40-100MHz | 1500 |
| 1GベースT | 60W PoE | JYSPD4532B151-1K60-HF | 1CT:1CT ±5% | 170uH Min @10.8mA DCバイアス | 35pF 最大 | 1.2Ω 最大 | -1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz | -18dB Min @1-40MHz; -12+10*Log ((F/80) dB Min @40-100MHz | 1500 |
| 2.5GベースT | 非POE | JYSPD4532B201-2G00-HF | 1CT:1CT ±5% | 200uH Min @8mA DCバイアス | 35pF 最大 | 2.5Ω 最大 | -1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz | -20dB Min @1-40MHz; -20+15*Log ((F/40) dB Min @40-150MHz | 1500 |
| 2.5GベースT | 15W PoE | JYSPD4532B201-2G15-HF | 1CT:1CT ±5% | 150uH Min @8mA DCバイアス | 35pF 最大 | 2.5Ω 最大 | -1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz | -20dB Min @1-40MHz; -20+15*Log ((F/40) dB Min @40-150MHz | 1500 |
| 2.5GベースT | 30W PoE | JYSPD4532B201-2G30-HF | 1CT:1CT ±5% | 150uH Min @10.8mA DCバイアス | 35pF 最大 | 1.2Ω 最大 | -1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz | -20dB Min @1-40MHz; -20+15*Log ((F/40) dB Min @40-150MHz | 1500 |
| 2.5GベースT | 60W PoE | JYSPD4532B201-2G60-HF | 1CT:1CT ±5% | 150uH Min @10.8mA DCバイアス | 35pF 最大 | 1.2Ω 最大 | -1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz | -20dB Min @1-40MHz; -20+15*Log ((F/40) dB Min @40-150MHz | 1500 |
| 5Gベース-T | 非POE | JYSPD4532B181-5G00-HF | 1CT:1CT ±5% | 180uH Min @8mA DCバイアス | 35pF 最大 | 2.5Ω 最大 | -1.0dB 最大 @1-150MHz; -1.5dB 最大 @150-250MHz | -18dB Min @1-40MHz; -18+10*Log ((F/40) dB Min @40-250MHz | 1500 |
| 5Gベース-T | 15W PoE | JYSPD4532B181-5G15-HF | 1CT:1CT ±5% | 180uH Min @8mA DCバイアス | 35pF 最大 | 2.5Ω 最大 | -1.0dB 最大 @1-150MHz; -1.5dB 最大 @150-250MHz | -18dB Min @1-40MHz; -18+10*Log ((F/40) dB Min @40-250MHz | 1500 |
| 5Gベース-T | 30W PoE | JYSPD4532B151-5G30-HF | 1CT:1CT ±5% | 150uH Min @10.8mA DCバイアス | 35pF 最大 | 1.2Ω 最大 | -1.0dB 最大 @1-150MHz; -1.5dB 最大 @150-250MHz | -18dB Min @1-40MHz; -18+10*Log ((F/40) dB Min @40-250MHz | 1500 |
| 5Gベース-T | 60W PoE | JYSPD4532B121-5G60-HF | 1CT:1CT ±5% | 120uH Min @10.8mA DCバイアス | 35pF 最大 | 1.2Ω 最大 | -1.0dB 最大 @1-150MHz; -1.5dB 最大 @150-250MHz | -18dB Min @1-40MHz; -18+10*Log ((F/40) dB Min @40-250MHz | 1500 |
| 10GベースT | 非POE | JYSPD4532B121-10G00-HF | 1CT:1CT ±5% | 120uH Min @8mA DCバイアス | 35pF 最大 | 2.0Ω 最大 | -0.5dB マックス @1-65MHz; -1.0dB @65-125MHz; -2.0dB @125-400MHz; -4.5dB @400-500MHz | -20.5dB Min @1-100MHz; -20.5+20.75*Log ((F/100)dB @100-200MHz; -12dB @200-300MHz; -9.5dB @300-400MHz; -7.5dB @400-500MHz | 1500 |
| 10GベースT | 15W PoE | JYSPD4532B121-10G15-HF | 1CT:1CT ±5% | 120uH Min @10.8mA DCバイアス | 35pF 最大 | 2.0Ω 最大 | -0.5dB マックス @1-65MHz; -1.0dB @65-125MHz; -2.0dB @125-400MHz; -4.5dB @400-500MHz | -20.5dB Min @1-100MHz; -20.5+20.75*Log ((F/100)dB @100-200MHz; -12dB @200-300MHz; -9.5dB @300-400MHz; -7.5dB @400-500MHz | 1500 |
注:OCLは100KHz/0.1Vで測定され,1mAのバイアス電流で,ハイポット 1500 Vrms.
溶接条件
- 再流溶接 (鉛無): 150°Cまで予熱;ピーク温度 260°C (最大);再流時間 ≤2;溶接パスタ厚さ 0.08mm 最適 / 0.1mm 最大
- 手動溶接: 尖端直径 1.0mm の 20W 鉄; 3 秒以内の溶接時間
パッケージ
テープとリールパッケージング.剥離力:20g-80g,剥離速度300mm/min±10%.テープ&リール,2000pcs/リール.
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: