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JY-SPD4532シリーズ SMD LANトランス 1G-10G Base-T PoE 4532 SMD 高性能 RoHS準拠

カテゴリ:
RFトランスフォーマー
仕様
Product Type
SMD LAN / Ethernet Transformer
Size
4532 (4.6x3.4mm)
Standard
IEEE 802.3ab, 1G-10G Base-T
PoE
0-60W
Hi-pot
1500 Vrms
Operating Temperature
-40℃ to +85℃/+125℃
Packaging
Tape & Reel, 2000 pcs/reel
Mounting Type
Surface Mount
High Light
導入

JY-SPD4532 シリーズ SMD LAN / イーサネット トランスフォーマー

部品番号付けシステム

位置コード記述
1JYSPD商品コード
24532製品サイズ 4.6x3.4mm
3B についてタイプ:B 6PIN
4351阻力/インダクタンスコード
51Kバウッドレート: 1K 1000M / 2G 2.5G
600変数コード
7HF環境: LF / HF / FP

構成 と 寸法

A 4.60 B 3.40 C 3.20 (単位:ミリ)

一般仕様

  • 動作温度範囲: -40°Cから+85°C/+125°C
  • 保存温度: -10°Cから+40°C,R.H. 最大 65%
  • 湿度感度レベル:MSL 2
  • 定数直流:温度上昇 (ΔT) 約40°C Irms
  • RoHS に準拠し,鉛やハロゲンを含まない
  • IEEE 802.3ab に準拠し,1G から 10G のベース-T 送信をサポートする
  • 電流能力 0-720mA 0-60W PoE アプリケーションをサポート
  • ハイポット隔離 1500 Vrms

電気特性

税率基準PoE評価部分番号ターン比オークル・CLCwwDCR マックス挿入損失返済損失HI-POT (Vrms)
1GベースT非POEJYSPD4532B351-1K00-HF1CT:1CT ±5%350uH Min @8mA DCバイアス45pF 最大4.5Ω 最大-1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz-18dB Min @1-40MHz; -12+10*Log ((F/80) dB Min @40-100MHz1500
1GベースT15W PoEJYSPD4532B201-1K15-HF1CT:1CT ±5%200uH Min @8mA DCバイアス35pF 最大2.5Ω 最大-1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz-18dB Min @1-40MHz; -12+10*Log ((F/80) dB Min @40-100MHz1500
1GベースT30W PoEJYSPD4532B171-1K30-HF1CT:1CT ±5%170uH Min @10.8mA DCバイアス35pF 最大1.2Ω 最大-1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz-18dB Min @1-40MHz; -12+10*Log ((F/80) dB Min @40-100MHz1500
1GベースT60W PoEJYSPD4532B151-1K60-HF1CT:1CT ±5%170uH Min @10.8mA DCバイアス35pF 最大1.2Ω 最大-1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz-18dB Min @1-40MHz; -12+10*Log ((F/80) dB Min @40-100MHz1500
2.5GベースT非POEJYSPD4532B201-2G00-HF1CT:1CT ±5%200uH Min @8mA DCバイアス35pF 最大2.5Ω 最大-1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz-20dB Min @1-40MHz; -20+15*Log ((F/40) dB Min @40-150MHz1500
2.5GベースT15W PoEJYSPD4532B201-2G15-HF1CT:1CT ±5%150uH Min @8mA DCバイアス35pF 最大2.5Ω 最大-1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz-20dB Min @1-40MHz; -20+15*Log ((F/40) dB Min @40-150MHz1500
2.5GベースT30W PoEJYSPD4532B201-2G30-HF1CT:1CT ±5%150uH Min @10.8mA DCバイアス35pF 最大1.2Ω 最大-1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz-20dB Min @1-40MHz; -20+15*Log ((F/40) dB Min @40-150MHz1500
2.5GベースT60W PoEJYSPD4532B201-2G60-HF1CT:1CT ±5%150uH Min @10.8mA DCバイアス35pF 最大1.2Ω 最大-1.0dB 最大 @1-100MHz; -1.5dB 最大 @100-125MHz-20dB Min @1-40MHz; -20+15*Log ((F/40) dB Min @40-150MHz1500
5Gベース-T非POEJYSPD4532B181-5G00-HF1CT:1CT ±5%180uH Min @8mA DCバイアス35pF 最大2.5Ω 最大-1.0dB 最大 @1-150MHz; -1.5dB 最大 @150-250MHz-18dB Min @1-40MHz; -18+10*Log ((F/40) dB Min @40-250MHz1500
5Gベース-T15W PoEJYSPD4532B181-5G15-HF1CT:1CT ±5%180uH Min @8mA DCバイアス35pF 最大2.5Ω 最大-1.0dB 最大 @1-150MHz; -1.5dB 最大 @150-250MHz-18dB Min @1-40MHz; -18+10*Log ((F/40) dB Min @40-250MHz1500
5Gベース-T30W PoEJYSPD4532B151-5G30-HF1CT:1CT ±5%150uH Min @10.8mA DCバイアス35pF 最大1.2Ω 最大-1.0dB 最大 @1-150MHz; -1.5dB 最大 @150-250MHz-18dB Min @1-40MHz; -18+10*Log ((F/40) dB Min @40-250MHz1500
5Gベース-T60W PoEJYSPD4532B121-5G60-HF1CT:1CT ±5%120uH Min @10.8mA DCバイアス35pF 最大1.2Ω 最大-1.0dB 最大 @1-150MHz; -1.5dB 最大 @150-250MHz-18dB Min @1-40MHz; -18+10*Log ((F/40) dB Min @40-250MHz1500
10GベースT非POEJYSPD4532B121-10G00-HF1CT:1CT ±5%120uH Min @8mA DCバイアス35pF 最大2.0Ω 最大-0.5dB マックス @1-65MHz; -1.0dB @65-125MHz; -2.0dB @125-400MHz; -4.5dB @400-500MHz-20.5dB Min @1-100MHz; -20.5+20.75*Log ((F/100)dB @100-200MHz; -12dB @200-300MHz; -9.5dB @300-400MHz; -7.5dB @400-500MHz1500
10GベースT15W PoEJYSPD4532B121-10G15-HF1CT:1CT ±5%120uH Min @10.8mA DCバイアス35pF 最大2.0Ω 最大-0.5dB マックス @1-65MHz; -1.0dB @65-125MHz; -2.0dB @125-400MHz; -4.5dB @400-500MHz-20.5dB Min @1-100MHz; -20.5+20.75*Log ((F/100)dB @100-200MHz; -12dB @200-300MHz; -9.5dB @300-400MHz; -7.5dB @400-500MHz1500

注:OCLは100KHz/0.1Vで測定され,1mAのバイアス電流で,ハイポット 1500 Vrms.

溶接条件

  • 再流溶接 (鉛無): 150°Cまで予熱;ピーク温度 260°C (最大);再流時間 ≤2;溶接パスタ厚さ 0.08mm 最適 / 0.1mm 最大
  • 手動溶接: 尖端直径 1.0mm の 20W 鉄; 3 秒以内の溶接時間

パッケージ

テープとリールパッケージング.剥離力:20g-80g,剥離速度300mm/min±10%.テープ&リール,2000pcs/リール.

RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: