logo
Дом>Продукты>

multilayer chip

Ключевые слова   [ multilayer chip ]  совпадение 18 Продукты.
Изображение Часть # Описание Производитель Запас RFQ
Качество Высокопроизводительный многослойный ферритовый бусин SMD 3225 300-8000 Ом Фабрика

Высокопроизводительный многослойный ферритовый бусин SMD 3225 300-8000 Ом

Качество ODM многослойный чип ферритный шарик 22-250Ω 0603 SMD Фабрика

ODM многослойный чип ферритный шарик 22-250Ω 0603 SMD

Качество 0603 SMD Многослойные ферритные шарики и чипы 0-180Омм 100МГц Фабрика

0603 SMD Многослойные ферритные шарики и чипы 0-180Омм 100МГц

Качество 90-2200 Ом Ферритовая бусина 1206 SMD Высокопроизводительная, соответствует RoHS Фабрика

90-2200 Ом Ферритовая бусина 1206 SMD Высокопроизводительная, соответствует RoHS

Качество OEM DC-чип ферритовая бусина 80-2800 Ом 1812 SMD без свинца Фабрика

OEM DC-чип ферритовая бусина 80-2800 Ом 1812 SMD без свинца

Качество 5025 SMD Чип Феррит Бусы 100-1100Ω MLCC Высокопроизводительная RoHS Соответствует Фабрика

5025 SMD Чип Феррит Бусы 100-1100Ω MLCC Высокопроизводительная RoHS Соответствует

Качество Сплошный чип ферритовый шарик 35-90Ω 0504 SMD без галогена Фабрика

Сплошный чип ферритовый шарик 35-90Ω 0504 SMD без галогена

Качество ОДМ поверхностная монтаж БЛМ ферритовый чип 30-1000Ω 0805 SMD Фабрика

ОДМ поверхностная монтаж БЛМ ферритовый чип 30-1000Ω 0805 SMD

Качество JY-BL1608-2327-1 RF Balun 1:1 Соотношение импеданции 2300-2700 MHz 50 Ом многослойный чип Balun 1608 Пакет Фабрика

JY-BL1608-2327-1 RF Balun 1:1 Соотношение импеданции 2300-2700 MHz 50 Ом многослойный чип Balun 1608 Пакет

Качество ВЧ Балун JY-BL1608-2327-2, Коэффициент импеданса 1:1, 2300-2700 МГц, 50 Ом, Многослойный чип-балун, Корпус 1608 Фабрика

ВЧ Балун JY-BL1608-2327-2, Коэффициент импеданса 1:1, 2300-2700 МГц, 50 Ом, Многослойный чип-балун, Корпус 1608

Качество JY-BL1608-3260-1 RF Balun 1:1 Соотношение импеданции 3200-6000 МГц 50 Ом многослойный чип Balun 1608 Пакет Фабрика

JY-BL1608-3260-1 RF Balun 1:1 Соотношение импеданции 3200-6000 МГц 50 Ом многослойный чип Balun 1608 Пакет

Качество JY-BL1608-3260-2 RF Balun 1:1 Соотношение импеданции 3200-6000 МГц 50 Ом многослойный чип Balun 1608 Пакет Фабрика

JY-BL1608-3260-2 RF Balun 1:1 Соотношение импеданции 3200-6000 МГц 50 Ом многослойный чип Balun 1608 Пакет

Качество JY-BL1608-3339-1 RF Balun 1:1 Impedance Ratio 3300-3900 MHz 50 Ohm Multilayer Chip Balun 1608 Package Фабрика

JY-BL1608-3339-1 RF Balun 1:1 Impedance Ratio 3300-3900 MHz 50 Ohm Multilayer Chip Balun 1608 Package

Качество JY-BL1608-3339-2 RF Balun 1:1 Соотношение импеданции 3300-3900 МГц 50 Ом многослойный чип Balun 1608 Пакет Фабрика

JY-BL1608-3339-2 RF Balun 1:1 Соотношение импеданции 3300-3900 МГц 50 Ом многослойный чип Balun 1608 Пакет

Качество ВЧ Балун JY-BL1608-06727-2, Коэффициент импеданса 1:1, 673-2700 МГц, 50 Ом, Многослойный чип-балун, Корпус 1608 Фабрика

ВЧ Балун JY-BL1608-06727-2, Коэффициент импеданса 1:1, 673-2700 МГц, 50 Ом, Многослойный чип-балун, Корпус 1608

Качество ВЧ Балун JY-BL1608-06927-1 1:1 Коэффициент Импеданса 699-2700 МГц 50 Ом Многослойный Чип Балун Корпус 1608 Фабрика

ВЧ Балун JY-BL1608-06927-1 1:1 Коэффициент Импеданса 699-2700 МГц 50 Ом Многослойный Чип Балун Корпус 1608

Качество Индивидуальный ферритовый фильтр 1008 0805 с сопротивлением 300-1000 Ом, низкочастотный Фабрика

Индивидуальный ферритовый фильтр 1008 0805 с сопротивлением 300-1000 Ом, низкочастотный

Качество 80-1000 Ом 1210 0402 Ферритовый бусина SMD Индуктор Соответствует RoHS Фабрика

80-1000 Ом 1210 0402 Ферритовый бусина SMD Индуктор Соответствует RoHS

1